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解析 2024 芯片行業(yè)冷熱沖擊試驗箱試驗的解決方案

發(fā)布時(shí)間: 2024-07-16  點(diǎn)擊次數: 409次

解析 2024 芯片行業(yè)冷熱沖擊試驗箱試驗的解決方案



一、引言


隨著(zhù)芯片技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片的性能和可靠性要求日益提高。冷熱沖擊試驗作為一種重要的可靠性測試方法,對于評估芯片在嚴苛溫度變化環(huán)境下的性能和穩定性具有關(guān)鍵意義。本方案旨在為 2024 年芯片行業(yè)提供一套全面、科學(xué)、有效的冷熱沖擊試驗解決方案。

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二、目的


通過(guò)冷熱沖擊試驗,檢測芯片在快速溫度變化條件下的性能和可靠性,提前發(fā)現潛在的質(zhì)量問(wèn)題,為芯片的設計優(yōu)化、生產(chǎn)工藝改進(jìn)和質(zhì)量控制提供依據。


三、實(shí)驗/設備條件


(一)冷熱沖擊試驗箱


  1. 選用高性能的冷熱沖擊試驗箱,具備以下技術(shù)參數:

    • 溫度范圍:-70°C 至 +180°C,滿(mǎn)足芯片可能面臨的嚴苛溫度環(huán)境。

    • 溫度轉換速率:≤5 秒,確保快速的溫度切換,以模擬真實(shí)的沖擊情況。

    • 溫度均勻度:≤2°C,保證試驗箱內不同位置的溫度一致性。

    • 控制系統:采用先進(jìn)的可編程控制器(PLC)或計算機控制系統,實(shí)現精確的溫度控制和試驗參數設置。


(二)輔助測試設備


  1. 數據采集系統:用于實(shí)時(shí)采集芯片在試驗過(guò)程中的電性能參數,如電壓、電流、電阻等。

  2. 功能測試設備:對芯片進(jìn)行功能測試,以驗證其在冷熱沖擊前后的功能完整性。

  3. 光學(xué)顯微鏡:用于觀(guān)察芯片表面的物理?yè)p傷,如裂紋、分層等。


四、試驗樣品


(一)樣品選擇


選取代表不同工藝節點(diǎn)、封裝類(lèi)型和應用領(lǐng)域的芯片作為試驗樣品,包括但不限于:


  1. 先進(jìn)制程的邏輯芯片(如 7nm、5nm 等)。

  2. 存儲芯片(如 DRAM、NAND Flash 等)。

  3. 射頻芯片。

  4. 汽車(chē)電子芯片。


(二)樣品預處理


  1. 在試驗前,對芯片進(jìn)行初始性能測試,包括電性能測試、功能測試等,并記錄測試結果。

  2. 對芯片進(jìn)行編號,以便于識別和跟蹤。


五、試驗步驟


(一)安裝與連接


  1. 將芯片樣品安裝在特制的試驗夾具上,確保芯片與夾具之間有良好的熱傳導和電氣連接。

  2. 將試驗夾具放入冷熱沖擊試驗箱內,并連接好數據采集系統和功能測試設備。


(二)試驗參數設置


  1. 設定低溫溫度為 -60°C,高溫溫度為 +150°C。

  2. 設定溫度停留時(shí)間:低溫和高溫各保持 15 分鐘。

  3. 設定溫度轉換時(shí)間:≤5 秒。

  4. 設定試驗循環(huán)次數:根據芯片的應用場(chǎng)景和質(zhì)量要求,選擇 500 次、1000 次或更多。


(三)試驗啟動(dòng)


  1. 啟動(dòng)冷熱沖擊試驗箱,開(kāi)始試驗。

  2. 在試驗過(guò)程中,數據采集系統實(shí)時(shí)記錄芯片的電性能參數,功能測試設備按照設定的時(shí)間間隔對芯片進(jìn)行功能測試。


(四)試驗中斷與恢復


  1. 若試驗過(guò)程中出現設備故障或異常情況,應立即中斷試驗,并記錄中斷時(shí)的試驗循環(huán)次數和芯片狀態(tài)。

  2. 排除故障后,根據中斷情況評估是否可以恢復試驗。若可以恢復,從中斷時(shí)的試驗循環(huán)次數繼續進(jìn)行試驗;若無(wú)法恢復,重新進(jìn)行試驗。


(五)試驗結束


  1. 完成設定的試驗循環(huán)次數后,停止試驗。

  2. 將芯片從試驗箱中取出,放置在常溫環(huán)境下恢復一段時(shí)間(通常為 24 小時(shí))。


六、試驗條件


(一)溫度變化速率


根據芯片的熱特性和實(shí)際應用環(huán)境,選擇合適的溫度變化速率。較快的溫度變化速率可以更有效地檢測出芯片的熱機械應力問(wèn)題,但也可能對芯片造成過(guò)度損傷。因此,需要在試驗效果和芯片保護之間進(jìn)行平衡。


(二)循環(huán)次數


循環(huán)次數應根據芯片的預期使用壽命和可靠性要求來(lái)確定。一般來(lái)說(shuō),對于高可靠性要求的芯片,如航空航天、汽車(chē)電子等領(lǐng)域的芯片,需要進(jìn)行更多的循環(huán)次數。


(三)溫度停留時(shí)間


在低溫和高溫狀態(tài)下的停留時(shí)間應足夠長(cháng),以使芯片達到熱平衡,充分暴露在嚴苛溫度環(huán)境下,但停留時(shí)間過(guò)長(cháng)可能會(huì )增加試驗時(shí)間和成本。


七、實(shí)驗結果/結論


(一)結果分析


  1. 電性能分析:對比試驗前后芯片的電性能參數,如電阻、電容、電感等,評估其變化情況。若電性能參數超出規定的公差范圍,則認為芯片存在性能退化。

  2. 功能測試分析:對試驗后的芯片進(jìn)行全面的功能測試,與初始功能測試結果進(jìn)行對比。若芯片出現功能失效,則進(jìn)一步分析失效原因。

  3. 物理?yè)p傷分析:使用光學(xué)顯微鏡觀(guān)察芯片表面和內部的物理?yè)p傷,如裂紋、分層、焊點(diǎn)脫落等。分析損傷的類(lèi)型、位置和嚴重程度,評估其對芯片性能和可靠性的影響。


(二)結論


  1. 根據試驗結果,判斷芯片是否通過(guò)冷熱沖擊試驗。若芯片在試驗后仍能保持良好的電性能、功能完整性,且無(wú)明顯的物理?yè)p傷,則認為芯片通過(guò)試驗,具備在相應溫度環(huán)境下工作的可靠性。

  2. 對于未通過(guò)試驗的芯片,分析其失效模式和原因,提出改進(jìn)措施和建議,為芯片的設計和生產(chǎn)工藝優(yōu)化提供參考。


八、注意事項


  1. 試驗人員應具備相關(guān)的專(zhuān)業(yè)知識和技能,熟悉試驗設備的操作和維護。

  2. 在試驗過(guò)程中,應嚴格遵守試驗設備的操作規程和安全注意事項,確保試驗人員和設備的安全。

  3. 試驗數據應及時(shí)、準確地記錄和保存,以便后續分析和追溯。


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